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Daily Archive: 12月 8, 2008

シリコン光素子デバイス

 インテルがシリコンを主材料とした光素子デバイスで340GHz駆動させる事に成功したそうである。
 詳しい事はあまりにも小難しくて私にはわからないが、非シリコン製光電子素材を使ったデバイスを初めて追い抜いたらしく、安価製造できる点から実用化に向けて大きく前進する事になるそうである。
 実用化すれば、チップ間通信に使われる事になるそうで、現在Core i7などで使われているQPIでも高速化したなどと言っていたが、比較してもそんなレベルの話ではなくなる技術である。

 こうした新技術が確立していく事そのものは非常にめでたい事ではあるのだが、問題はこうしたチップ間通信技術よりもメモリ問題の方がより深刻である。
 現在主流になりつつあるDDR3の後継メモリが未だ不透明であり、速度を稼ぐ事がなかなかできないという状態である。
 ちょっと前はCPUコアやGPUコアの処理速度よりもその計算結果を格納するメモリと通信帯域に問題があり、CPU等のタスクに待ちが発生していた。
 それがここ最近、FSB等も1,333MHz以上の通信速度を出せるようになり、帯域は確保されたワケだが、メモリだけは未だに解決に至っていない。
 しかもCPU内にメモリコントローラーを内蔵するというのが今のトレンドであり、メモリとのデータのやりとり部分においてはさらに要求が高くなってきている。
 そのやりとりに使用する通信帯域はこれから先明るい兆しがある…というのは、今回の光素子デバイスでわかるのだが、メモリの問題は私が知る限りではまだまだ混迷しそうである。
 やはりDRAM技術ではこの先無理なのだろうか?

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