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Daily Archive: 5月 6, 2011

3D Tri-Gateトランジスタが実現する未来のPC

 5月4日、Intelは全世界に向けて世界初の3次元構造を持つトランジスタを発表した。
 それが3D Tri-Gateという名であり、Intelが最初にその存在を公開したのは今から9年前の2002年の事である。
 3D Tri-Gateによってもたらされるのは、様々なメリットであり、高密度化が可能になる事でより高性能化できるだけでなく、90nmプロセス時に大きな問題となったリーク電流が大きく押さえる事が可能となる。
 Intelは22nmで製造する予定のIvy Bridgeでこの3D Tri-Gateを使用する事を想定しており、これが同時に世界初の量産となる。
 この22nm版Ivy Bridgeは32nm版Sandy Bridgeと同じ電力を消費した場合、低電圧時には約37%の高性能化が可能であり、また同じ性能ならは電力は約50%に抑える事が可能だという。しかもリーク電流は1/10にまで減らす事が可能であるため、高性能化&省電力化と現在最も求められている事が両立可能だという。

 と、ここまでの話で行くと、スバラシイ開発が行われ、Intel主導の世界がこの先あるような感じに見えなくもないが、この半導体の3次元構造化は何もIntelの独占技術ではない。
 大手の半導体ベンダーはほぼ全てがこの立体構造の半導体開発に注力している。
 一般的にIntelが発表した3D Tri-Gateのような3次元構造半導体はマルチゲートと呼ばれている。3D Tri-Gateはそのマルチゲートの一つの形でしかない。
 そのいくつかある中の一つとして今回Intelが発表した事は、まず3次元トランジスタを量産に持ち込んだ事、そして他ベンダーより1~2世代早くトランジスタ構造改革を行った事が評価されるのであって、この3D Tri-GateそのものがIntelの優位性にそのまま直結する事ではないのである。
 しかも他社より先行して3D Tri-Gateによる量産を開始するという事は当然ながらそこに歩留りの問題がついて回る。いくらIntelが歩留りが従来品に比べて良いと言ったとしても、それはあくまでも開発品レベルでの話でしかなく、量産品で同じ事が出来るとは限らない。量産時にはいろいろなトラブルがついて回るからだ。

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