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Daily Archive: 1月 25, 2012

いよいよ不揮発性メモリでPC運用の時代がやってくるのか?

 昨日、エルピーダメモリが次世代メモリである“ReRAM”(高速不揮発性抵抗変化型メモリ)の開発に成功した、と発表した。
 NEDOとの共同研究事業、及びシャープ、そして独立行政法人産業技術総合研究所、東京大学との共同実施として開発しているもので、今回は50nmプロセスを使用して、64Mbitのメモリセルアレイ動作を確認したという発表であった。
 そもそもReRAMとはどういうものなのか? というと、電圧を加える事で抵抗値が変わる材料を素子に利用し、高抵抗状態で0、低抵抗状態で1としてデジタル記録するメモリになる。
 このメモリの最大のメリットは次世代メモリの中における総合バランスと言えるのではないかと思う。書き込み電流量が比較的小さく、微細化や大容量化の可能性が高く、そしてDRAM製造ラインの流用が可能、といういいとこ取りをした結果とも言える。

 他にも相変化メモリ(PCM:Phase Change Memory)というメモリ技術もあるが、これは微細化に問題があり、またヒーター加熱によって相変化を起こすのだが、その加熱を維持する為に書き換え電流を下げられないという問題もある。そのため、エルピーダでは研究を断念したという経緯がある。
 また、磁気メモリ(MRAM)というメモリ技術もあるのだが、こちらはMR比(磁気抵抗の違いの大きさ)を大きく取れないことが問題であり、そのために大容量化が難しい。最大容量で1Gbitまでは達成できるようだが、DRAMと同等以上の記憶容量は実現しにくいようだ。
 この結果で言えばReRAMを選択する理由は一目瞭然だが、他にも理由がある。
 それは抵抗変化を起こす記憶素子の材料としてエルピーダがDRAMで使用している酸化ハフニウム(HfOx)系(DRAMセルのキャパシタ絶縁膜ですでに実用化されている)が使えるという事である。これによって生産ラインがほとんど流用可能らしい。

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